深圳市维科创电子有限公司

14年

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产品分类

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原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D
原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D
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原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D

型号/规格:

AM30N10-70D

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

SOT-23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

功率特征:

中功率

品牌:

ANALOGPOW

型号:

AM30N10-70D

种类:

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型:

N沟道

导电方式:

增强型

产品信息







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33_副本

原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70DMOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的 |VGS | 值。(增强)(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。(5) 低频跨导 gm :表示VGS对iD的控制作用。    在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。(6) 漏极电流原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D IDM(7) 漏极耗散功率 PDM(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D