深圳市维科创电子有限公司

14年

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供应原装东芝贴片三极管TC4S30F
供应原装东芝贴片三极管TC4S30F
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供应原装东芝贴片三极管TC4S30F

型号/规格:

TC4S30F

品牌/商标:

TOSHIBA(东芝)

封装形式:

SOT-153

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间称为开通时间。
    三极管处于截止状态时,发射结反偏,空间电荷区比较宽。当输入信号ui由-U1跳变到+U2时,由于发射结空间电荷区仍保持在截止时的宽度,故发射区的电子还不能立即穿过发射结到达基区。这时发射区的电子进入空间电荷区,使空间电荷区变窄,然后发射区开始向基区发射电子,晶体管开始导通。这个过程所需要的时间称为延迟时间td 。
    经过延迟时间td后,发射区不断向基区注入电子,电子在基区积累,并向集电区扩散,形成集电极电流iC。随着基区电子浓度的增加,iC不断增大。iC上升到值的90%所需要的时间称为上升时间tr。三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间称为关闭时间。
    进入饱和状态后,集电极收集电子的能力减弱,过剩的电子在基区不断积累起来,称为超量存储电荷,同时集电区靠近边界处也积累起一定的空穴,集电结处于正向偏置。
    当输入电压ui由+U2跳变到-U1时,存储电荷不能立即消失,而是在反向电压作用下产生漂移运动而形成反向基流,促使超量存储电荷泄放。在存储电荷完全消失前,集电极电流维持ICS不变,直至存储电荷全部消散,晶体管才开始退出饱和状态,iC开始下降。这个过程所需要的时间称为存储时间ts。
    基区存储的多余电荷全部消失后,基区中的电子在反向电压作用下越来越少,集电极电流iC也不断减小,并逐渐接近于零。集电极电流由0.9ICS降至0.1ICS所需的时间称为下降时间tf。