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三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间称为开通时间。
    三极管处于截止状态时，发射结反偏，空间电荷区比较宽。当输入信号ui由-U1跳变到+U2时，由于发射结空间电荷区仍保持在截止时的宽度，故发射区的电子还不能立即穿过发射结到达基区。这时发射区的电子进入空间电荷区，使空间电荷区变窄，然后发射区开始向基区发射电子，晶体管开始导通。这个过程所需要的时间称为延迟时间td 。
    经过延迟时间td后，发射区不断向基区注入电子，电子在基区积累，并向集电区扩散，形成集电极电流iC。随着基区电子浓度的增加，iC不断增大。iC上升到值的90%所需要的时间称为上升时间tr。三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间称为关闭时间。
    进入饱和状态后，集电极收集电子的能力减弱，过剩的电子在基区不断积累起来，称为超量存储电荷，同时集电区靠近边界处也积累起一定的空穴，集电结处于正向偏置。
    当输入电压ui由+U2跳变到-U1时，存储电荷不能立即消失，而是在反向电压作用下产生漂移运动而形成反向基流，促使超量存储电荷泄放。在存储电荷完全消失前，集电极电流维持ICS不变，直至存储电荷全部消散，晶体管才开始退出饱和状态，iC开始下降。这个过程所需要的时间称为存储时间ts。
    基区存储的多余电荷全部消失后，基区中的电子在反向电压作用下越来越少，集电极电流iC也不断减小，并逐渐接近于零。集电极电流由0.9ICS降至0.1ICS所需的时间称为下降时间tf。