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晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。 、 确定被保护电路的直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、 TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
3、 TVS的箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、 在规定的脉冲持续时间内，TVS的峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、 对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。